casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / NVMFS5C450NLWFT1G
codice articolo del costruttore | NVMFS5C450NLWFT1G |
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Numero di parte futuro | FT-NVMFS5C450NLWFT1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NVMFS5C450NLWFT1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8 mOhm @ 40A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2100pF @ 20V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.7W (Ta), 68W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NVMFS5C450NLWFT1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NVMFS5C450NLWFT1G-FT |
NTMFS5H425NLT1G
ON Semiconductor
NTMFS5H431NLT1G
ON Semiconductor
NTMFS5H615NLT1G
ON Semiconductor
NVMFS4841NT1G
ON Semiconductor
NVMFS4841NWFT1G
ON Semiconductor
NVMFS4C01NT3G
ON Semiconductor
NVMFS4C01NWFT3G
ON Semiconductor
NVMFS4C03NT3G
ON Semiconductor
NVMFS4C03NWFT3G
ON Semiconductor
NVMFS4C05NT3G
ON Semiconductor
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V2-VQ100
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C5
Intel
5SGXMA7K3F40C3
Intel
XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
5AGXMA7G4F35I5N
Intel
EPF8820QC160-4
Intel