casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / NVMFS5C410NWFAFT1G
codice articolo del costruttore | NVMFS5C410NWFAFT1G |
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Numero di parte futuro | FT-NVMFS5C410NWFAFT1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
NVMFS5C410NWFAFT1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 46A (Ta), 300A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.92 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 86nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6100pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.9W (Ta), 166W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NVMFS5C410NWFAFT1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NVMFS5C410NWFAFT1G-FT |
NVMFS5832NLT1G
ON Semiconductor
NVMFS5834NLT1G
ON Semiconductor
NVMFS5834NLWFT1G
ON Semiconductor
NVMFS5844NLWFT1G
ON Semiconductor
NVMFS5C404NLAFT1G
ON Semiconductor
NVMFS5C404NLWFT1G
ON Semiconductor
NVMFS5C423NLT1G
ON Semiconductor
NVMFS5C466NT1G
ON Semiconductor
NVMFS5C604NLWFAFT1G
ON Semiconductor
NVMFS5C670NLWFAFT1G
ON Semiconductor
XCS20XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-3FG484I
Xilinx Inc.
A42MX36-1PQG240
Microsemi Corporation
A3P1000-2FGG484I
Microsemi Corporation
XC4020E-4HQ208I
Xilinx Inc.
XC7VX690T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX09-TQ176
Microsemi Corporation
M1A3P1000L-FGG144
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-CM36AITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230HF35C2
Intel