casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / NVMFS5C670NLWFAFT1G
codice articolo del costruttore | NVMFS5C670NLWFAFT1G |
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Numero di parte futuro | FT-NVMFS5C670NLWFAFT1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
NVMFS5C670NLWFAFT1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 17A (Ta), 71A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.1 mOhm @ 35A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 53µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1400pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 61W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NVMFS5C670NLWFAFT1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NVMFS5C670NLWFAFT1G-FT |
NVTFS5820NLWFTWG
ON Semiconductor
NVTFS5824NLTAG
ON Semiconductor
NVTFS5824NLTWG
ON Semiconductor
NVTFS5824NLWFTAG
ON Semiconductor
NVTFS5824NLWFTWG
ON Semiconductor
NVTFS5826NLTWG
ON Semiconductor
NVTFS5826NLWFTWG
ON Semiconductor
NVTFS5C658NLTAG
ON Semiconductor
NVTFS5C658NLWFTAG
ON Semiconductor
NTMFS5C468NLT1G
ON Semiconductor
EX128-TQ100
Microsemi Corporation
XC3S50A-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ256
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-VQG100M
Microsemi Corporation
EP1SGX10CF672C7N
Intel
10AX016C3U19I2LG
Intel
10CL025ZE144I8G
Intel
5SGXEA7H3F35I4
Intel
EP3SE50F780I3
Intel