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ON Semiconductor NTMFS4H02NFT1G
- Numero parte MFG
- NTMFS4H02NFT1G
- quantità disponibile
- 80630 pezzi
- Prezzo di riferimento
- USD 1.7864
- Il nostro prezzo
- Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci
- Data di spedizione
- Oggi possiamo spedire
- fabbricante
- ON Semiconductor
- Breve descrizione
- - MOSFET N-CH 25V 37A SO8FL
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Conformità RoHS (senza piombo)
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
- 1 (illimitato)
- Codice data (D / C)
- Nuovo
- categoria di prodotto
- Transistor - FET, MOSFETs - Single
- Risorsa stock
- Distributore in franchising
- Garanzia
- 360 giorni di garanzia di qualità
- scheda dati
- NTMFS4H02NFT1G.pdf
NTMFS4H02NFT1G specificazioni
| codice articolo del costruttore | NTMFS4H02NFT1G |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-NTMFS4H02NFT1G |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| NTMFS4H02NFT1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 37A (Ta), 193A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 mOhm @ 30A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40.9nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2652pF @ 12V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 3.13W (Ta), 83W (Tc) |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| NTMFS4H02NFT1G Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | NTMFS4H02NFT1G-FT |
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