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ON Semiconductor NVF3055L108T1G

Name: NVF3055L108T1G
Brand: ON Semiconductor
SKU: NVF3055L108T1G
Price: 0.29272 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (462 reviews)

Numero parte MFG: NVF3055L108T1G

quantità disponibile: 69120 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.29272

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: ON Semiconductor

Breve descrizione: Automotive, AEC-Q101 MOSFET N-CH 60V 3A SOT223

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: NVF3055L108T1G.pdf

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NVF3055L108T1G specificazioni

codice articolo del costruttore	NVF3055L108T1G
Numero di parte futuro	FT-NVF3055L108T1G
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	Automotive, AEC-Q101
NVF3055L108T1G Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Not For New Designs
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	3A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	120 mOhm @ 1.5A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 5V
Vgs (massimo)	±15V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	440pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1.3W (Ta)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	SOT-223
Pacchetto / caso	TO-261-4, TO-261AA
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NVF3055L108T1G Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	NVF3055L108T1G-FT

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