casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / NTD65N03R-1G
codice articolo del costruttore | NTD65N03R-1G |
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Numero di parte futuro | FT-NTD65N03R-1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NTD65N03R-1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9.5A (Ta), 32A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.4 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1400pF @ 20V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.3W (Ta), 50W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | I-PAK |
Pacchetto / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTD65N03R-1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NTD65N03R-1G-FT |
NTD2955-1G
ON Semiconductor
NTD4808N-1G
ON Semiconductor
NTD4979N-35G
ON Semiconductor
NDD02N60Z-1G
ON Semiconductor
NDD03N50Z-1G
ON Semiconductor
NDD03N60Z-1G
ON Semiconductor
NDD04N50Z-1G
ON Semiconductor
NDD04N60Z-1G
ON Semiconductor
NDD05N50Z-1G
ON Semiconductor
NDD60N360U1-1G
ON Semiconductor
XC3S400-5FTG256C
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CSG325C
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300E-5UWG81CTR50
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K1F35I2N
Intel
XC4020E-3HQ208I
Xilinx Inc.
XC7VX415T-2FFG1158I
Xilinx Inc.
XC7VX550T-1FFG1158C
Xilinx Inc.
XCKU5P-1SFVB784I
Xilinx Inc.
LFXP10C-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation