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ON Semiconductor NVD5C648NLT4G

Name: NVD5C648NLT4G
Brand: ON Semiconductor
SKU: NVD5C648NLT4G
Price: 0.462128 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (183 reviews)

Numero parte MFG: NVD5C648NLT4G

quantità disponibile: 46590 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.462128

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fabbricante: ON Semiconductor

Breve descrizione: Automotive, AEC-Q101 T6 60V LL DPAK

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: NVD5C648NLT4G.pdf

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NVD5C648NLT4G specificazioni

codice articolo del costruttore	NVD5C648NLT4G
Numero di parte futuro	FT-NVD5C648NLT4G
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	Automotive, AEC-Q101
NVD5C648NLT4G Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	18A (Ta), 89A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.1 mOhm @ 45A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	39nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2900pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3.1W (Ta), 72W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	DPAK (SINGLE GAUGE)
Pacchetto / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NVD5C648NLT4G Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	NVD5C648NLT4G-FT

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