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ON Semiconductor 5HN01M-TL-E

Numero parte MFG
5HN01M-TL-E
quantità disponibile
20290 pezzi
Prezzo di riferimento
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fabbricante
ON Semiconductor
Breve descrizione
- MOSFET N-CH 50V 0.1A MCP3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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5HN01M-TL-E specificazioni

codice articolo del costruttore 5HN01M-TL-E
Numero di parte futuro FT-5HN01M-TL-E
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
5HN01M-TL-E Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 50V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 100mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5 Ohm @ 50mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.4nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6.2pF @ 10V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 150mW (Ta)
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 3-MCP
Pacchetto / caso SC-70, SOT-323
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
5HN01M-TL-E Peso Contattaci
Numero parte di ricambio 5HN01M-TL-E-FT

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