casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / NVD5C486NT4G
codice articolo del costruttore | NVD5C486NT4G |
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Numero di parte futuro | FT-NVD5C486NT4G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
NVD5C486NT4G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9.2A (Ta), 23A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17.9 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 20µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 380pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.9W (Ta), 18.3W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK (SINGLE GAUGE) |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NVD5C486NT4G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NVD5C486NT4G-FT |
3LN01M-TL-H
ON Semiconductor
3LP01M-TL-E
ON Semiconductor
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5HN01M-TL-E
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