casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / NVD3055-094T4G-VF01
codice articolo del costruttore | NVD3055-094T4G-VF01 |
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Numero di parte futuro | FT-NVD3055-094T4G-VF01 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NVD3055-094T4G-VF01 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 94 mOhm @ 6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 450pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.5W (Ta), 48W (Tj) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NVD3055-094T4G-VF01 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NVD3055-094T4G-VF01-FT |
SI1062X-T1-GE3
Vishay Siliconix
NTE4151PT1G
ON Semiconductor
SI1012X-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1032X-T1-GE3
Vishay Siliconix
NVE4153NT1G
ON Semiconductor
NTE4153NT1G
ON Semiconductor
SI1011X-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1013CX-T1-GE3
Vishay Siliconix
NVJS4151PT1G
ON Semiconductor
NVJS4405NT1G
ON Semiconductor
ICE40UP5K-SG48I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S250E-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2V1000-5FGG456I
Xilinx Inc.
10CL010ZU256I8G
Intel
5SGXMA7K2F40I3
Intel
A54SX32A-1TQ100I
Microsemi Corporation
APA075-FGG144
Microsemi Corporation
10AX066N2F40I2SGES
Intel
EPF10K50VBC356-2N
Intel
EPF10K50VBI356-4
Intel