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ON Semiconductor NVATS4A103PZT4G

Numero parte MFG
NVATS4A103PZT4G
quantità disponibile
33500 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.487752
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fabbricante
ON Semiconductor
Breve descrizione
- MOSFET P-CHANNEL 30V 60A ATPAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore NVATS4A103PZT4G
Numero di parte futuro FT-NVATS4A103PZT4G
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
NVATS4A103PZT4G Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 60A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13 mOhm @ 28A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.6V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 47nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2430pF @ 10V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 60W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore ATPAK
Pacchetto / caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NVATS4A103PZT4G Peso Contattaci
Numero parte di ricambio NVATS4A103PZT4G-FT

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