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ON Semiconductor NVATS4A103PZT4G

Name: NVATS4A103PZT4G
Brand: ON Semiconductor
SKU: NVATS4A103PZT4G
Price: 0.487752 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (345 reviews)

Numero parte MFG: NVATS4A103PZT4G

quantità disponibile: 33500 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.487752

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: ON Semiconductor

Breve descrizione: - MOSFET P-CHANNEL 30V 60A ATPAK

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: NVATS4A103PZT4G.pdf

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NVATS4A103PZT4G specificazioni

codice articolo del costruttore	NVATS4A103PZT4G
Numero di parte futuro	FT-NVATS4A103PZT4G
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
NVATS4A103PZT4G Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	60A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13 mOhm @ 28A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.6V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	47nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2430pF @ 10V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	60W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	ATPAK
Pacchetto / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NVATS4A103PZT4G Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	NVATS4A103PZT4G-FT

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