casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / DMT10H009SSS-13
codice articolo del costruttore | DMT10H009SSS-13 |
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Numero di parte futuro | FT-DMT10H009SSS-13 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMT10H009SSS-13 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | - |
Tecnologia | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | - |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Pacchetto / caso | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMT10H009SSS-13 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DMT10H009SSS-13-FT |
DMT2004UFG-13
Diodes Incorporated
DMT2004UFG-7
Diodes Incorporated
DMT32M5LFG-13
Diodes Incorporated
DMT4008LFV-13
Diodes Incorporated
DMT6007LFGQ-13
Diodes Incorporated
DMT6007LFGQ-7
Diodes Incorporated
DMT615MLFV-13
Diodes Incorporated
DMT615MLFV-7
Diodes Incorporated
DMTH3004LFG-13
Diodes Incorporated
DMTH3004LFG-7
Diodes Incorporated
XC3S200-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC4020XL-1PQ208C
Xilinx Inc.
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
10M40DCF256C7G
Intel
5SGSED8K2F40I2N
Intel
XC2V2000-5FF896I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
A40MX04-PQG100M
Microsemi Corporation
LFEC15E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX40GF1020I6
Intel