casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MBR10100MFST1G
codice articolo del costruttore | MBR10100MFST1G |
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Numero di parte futuro | FT-MBR10100MFST1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBR10100MFST1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
Pacchetto dispositivo fornitore | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR10100MFST1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBR10100MFST1G-FT |
MUR140RL
ON Semiconductor
MUR160
ON Semiconductor
MUR160RL
ON Semiconductor
MUR180E
ON Semiconductor
MUR180ERL
ON Semiconductor
MUR210
ON Semiconductor
MUR2100E
ON Semiconductor
MUR2100ERL
ON Semiconductor
MUR210RL
ON Semiconductor
MUR220
ON Semiconductor
XC2V1500-4FGG676C
Xilinx Inc.
XC4010E-1PQ208C
Xilinx Inc.
XC3S700AN-4FGG484C
Xilinx Inc.
AGL600V2-FGG484
Microsemi Corporation
10AX027H3F35E2LG
Intel
A1020B-PL44I
Microsemi Corporation
XCV150-6BG256C
Xilinx Inc.
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC6SLX25-3CSG324I
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
Intel