casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / NTP30N06
codice articolo del costruttore | NTP30N06 |
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Numero di parte futuro | FT-NTP30N06 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NTP30N06 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 27A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 46nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 88.2W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTP30N06 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NTP30N06-FT |
FQA9N90C
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Toshiba Semiconductor and Storage
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XCKU035-L1FFVA1156I
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XC7A200T-1FF1156I
Xilinx Inc.
A3P1000-1FGG144I
Microsemi Corporation
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