casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / NTB30N20G
codice articolo del costruttore | NTB30N20G |
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Numero di parte futuro | FT-NTB30N20G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NTB30N20G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 30A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 81 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 100nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2335pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2W (Ta), 214W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTB30N20G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NTB30N20G-FT |
NTD50N03RT4
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AT40K40AL-1BQI
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XC4005XL-3PQ100C
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APA600-BG456I
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EP1S10F484C7N
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EP1K30FC256-2
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EP2AGX45DF25I5
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LFXP2-5E-7M132C
Lattice Semiconductor Corporation