casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / NTK3139PT1G
codice articolo del costruttore | NTK3139PT1G |
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Numero di parte futuro | FT-NTK3139PT1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NTK3139PT1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 660mA (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 480 mOhm @ 780mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | ±6V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 170pF @ 16V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 310mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-723 |
Pacchetto / caso | SOT-723 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTK3139PT1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NTK3139PT1G-FT |
2SK4196LS-1E
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