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ON Semiconductor BVSS123LT1G

Numero parte MFG
BVSS123LT1G
quantità disponibile
97060 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.07508
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fabbricante
ON Semiconductor
Breve descrizione
- MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23-3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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Numero di parte futuro FT-BVSS123LT1G
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
BVSS123LT1G Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 170mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6 Ohm @ 100mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.8V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 20pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 225mW (Ta)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-23-3
Pacchetto / caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BVSS123LT1G Peso Contattaci
Numero parte di ricambio BVSS123LT1G-FT

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