casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BVSS123LT1G
codice articolo del costruttore | BVSS123LT1G |
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Numero di parte futuro | FT-BVSS123LT1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BVSS123LT1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 170mA (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 Ohm @ 100mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 20pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 225mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BVSS123LT1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BVSS123LT1G-FT |
NTK3139PT5G
ON Semiconductor
NTK3134NT1G
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NTK3043NAT5G
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M2GL025T-1VFG256I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-1
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EPF10K130EFC484-1N
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5SGSED6K2F40I3L
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