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ON Semiconductor NTHD4N02FT1G

Name: NTHD4N02FT1G
Brand: ON Semiconductor
SKU: NTHD4N02FT1G
Availability: InStock
Rating: 4.9 (182 reviews)

Numero parte MFG: NTHD4N02FT1G

quantità disponibile: 71380 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: ON Semiconductor

Breve descrizione: - MOSFET N-CH 20V 2.9A CHIPFET

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: NTHD4N02FT1G.pdf

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NTHD4N02FT1G specificazioni

codice articolo del costruttore	NTHD4N02FT1G
Numero di parte futuro	FT-NTHD4N02FT1G
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
NTHD4N02FT1G Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	2.9A (Tj)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	80 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4nC @ 4.5V
Vgs (massimo)	±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	300pF @ 10V
Caratteristica FET	Schottky Diode (Isolated)
Dissipazione di potenza (max)	910mW (Tj)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	ChipFET™
Pacchetto / caso	8-SMD, Flat Lead
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NTHD4N02FT1G Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	NTHD4N02FT1G-FT

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