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ON Semiconductor NTGD4169FT1G

Name: NTGD4169FT1G
Brand: ON Semiconductor
SKU: NTGD4169FT1G
Availability: InStock
Rating: 4.7 (326 reviews)

Numero parte MFG: NTGD4169FT1G

quantità disponibile: 39720 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

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fabbricante: ON Semiconductor

Breve descrizione: - MOSFET N-CH 30V 2.6A 6-TSOP

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: NTGD4169FT1G.pdf

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NTGD4169FT1G specificazioni

codice articolo del costruttore	NTGD4169FT1G
Numero di parte futuro	FT-NTGD4169FT1G
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
NTGD4169FT1G Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	2.6A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	90 mOhm @ 2.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	5.5nC @ 4.5V
Vgs (massimo)	±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	295pF @ 15V
Caratteristica FET	Schottky Diode (Isolated)
Dissipazione di potenza (max)	900mW (Ta)
temperatura di esercizio	-25°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	6-TSOP
Pacchetto / caso	SOT-23-6
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NTGD4169FT1G Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	NTGD4169FT1G-FT

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