casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / NTD4959N-1G
codice articolo del costruttore | NTD4959N-1G |
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Numero di parte futuro | FT-NTD4959N-1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NTD4959N-1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9A (Ta), 58A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 11.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 11.5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1456pF @ 12V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.3W (Ta), 52W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | I-PAK |
Pacchetto / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTD4959N-1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NTD4959N-1G-FT |
NTLJS2103PTBG
ON Semiconductor
NTLJS4114NT1G
ON Semiconductor
NTLJF4156NTAG
ON Semiconductor
NTLJS1102PTAG
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NTLJS1102PTBG
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NTLJS2103PTAG
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NTLJS3113PTAG
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NTLJS3180PZTAG
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NTLJS3180PZTBG
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NTLJS4149PTAG
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