casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / NTD95N02R-001
codice articolo del costruttore | NTD95N02R-001 |
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Numero di parte futuro | FT-NTD95N02R-001 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NTD95N02R-001 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 24V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Ta), 32A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2400pF @ 20V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.25W (Ta), 86W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | I-PAK |
Pacchetto / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTD95N02R-001 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NTD95N02R-001-FT |
NDD60N745U1-35G
ON Semiconductor
NDD60N900U1-1G
ON Semiconductor
NDD60N900U1-35G
ON Semiconductor
NTD110N02R-001
ON Semiconductor
NTD110N02R-001G
ON Semiconductor
NTD12N10-1G
ON Semiconductor
NTD14N03R-001
ON Semiconductor
NTD14N03R-1G
ON Semiconductor
NTD15N06-001
ON Semiconductor
NTD15N06L-001
ON Semiconductor
XC3S200-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC4020XL-1PQ208C
Xilinx Inc.
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
10M40DCF256C7G
Intel
5SGSED8K2F40I2N
Intel
XC2V2000-5FF896I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
A40MX04-PQG100M
Microsemi Corporation
LFEC15E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX40GF1020I6
Intel