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ON Semiconductor NDD60N900U1-1G

Name: NDD60N900U1-1G
Brand: ON Semiconductor
SKU: NDD60N900U1-1G
Availability: InStock
Rating: 4.9 (555 reviews)

Numero parte MFG: NDD60N900U1-1G

quantità disponibile: 57940 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

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fabbricante: ON Semiconductor

Breve descrizione: - MOSFET N-CH 600V 5.9A IPAK-4

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: NDD60N900U1-1G.pdf

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NDD60N900U1-1G specificazioni

codice articolo del costruttore	NDD60N900U1-1G
Numero di parte futuro	FT-NDD60N900U1-1G
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
NDD60N900U1-1G Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	5.7A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	900 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 10V
Vgs (massimo)	±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	360pF @ 50V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	74W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	I-PAK
Pacchetto / caso	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NDD60N900U1-1G Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	NDD60N900U1-1G-FT

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