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ON Semiconductor NDD02N60Z-1G

Name: NDD02N60Z-1G
Brand: ON Semiconductor
SKU: NDD02N60Z-1G
Availability: InStock
Rating: 4.7 (472 reviews)

Numero parte MFG: NDD02N60Z-1G

quantità disponibile: 80640 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: ON Semiconductor

Breve descrizione: - MOSFET N-CH 600V IPAK

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: NDD02N60Z-1G.pdf

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NDD02N60Z-1G specificazioni

codice articolo del costruttore	NDD02N60Z-1G
Numero di parte futuro	FT-NDD02N60Z-1G
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
NDD02N60Z-1G Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	2.2A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.8 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10.1nC @ 10V
Vgs (massimo)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	274pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	57W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	I-PAK
Pacchetto / caso	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NDD02N60Z-1G Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	NDD02N60Z-1G-FT

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