casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / NTD6416ANLT4G
codice articolo del costruttore | NTD6416ANLT4G |
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Numero di parte futuro | FT-NTD6416ANLT4G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NTD6416ANLT4G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 19A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 74 mOhm @ 19A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1000pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 71W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTD6416ANLT4G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NTD6416ANLT4G-FT |
MTD6N15T4G
ON Semiconductor
MTD6N15T4GV
ON Semiconductor
MTD6N20ET4
ON Semiconductor
MTD6N20ET4G
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MTD6N20ET5G
ON Semiconductor
MTD6P10E
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NDD01N60T4G
ON Semiconductor
NDD02N40T4G
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NDD03N40ZT4G
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NDD60N360U1T4G
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A54SX16A-2TQ144I
Microsemi Corporation
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XC3S700AN-4FGG484I
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5SGXMA3E1H29I2N
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5SGSMD8N3F45I3N
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5SGXMA4H3F35I4N
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XC6VLX195T-2FFG784C
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XC6VLX195T-2FFG784I
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Lattice Semiconductor Corporation