casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / NTD20N06-1G
codice articolo del costruttore | NTD20N06-1G |
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Numero di parte futuro | FT-NTD20N06-1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NTD20N06-1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 20A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 46 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1015pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.88W (Ta), 60W (Tj) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | I-PAK |
Pacchetto / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTD20N06-1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NTD20N06-1G-FT |
MCH6353-TL-W
ON Semiconductor
MCH6445-TL-W
ON Semiconductor
MCH6421-TL-E
ON Semiconductor
MCH6320-TL-E
ON Semiconductor
MCH6321-TL-W
ON Semiconductor
MCH6331-TL-E
ON Semiconductor
MCH6331-TL-H
ON Semiconductor
MCH6336-P-TL-E
ON Semiconductor
MCH6336-S-TL-E
ON Semiconductor
MCH6336-TL-H
ON Semiconductor
XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
5SGSMD5K2F40C2L
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-4BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4U19A7N
Intel
EPF10K20RC240-3N
Intel
EP20K1000EFC33-3
Intel