casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / NTD14N03RT4G
codice articolo del costruttore | NTD14N03RT4G |
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Numero di parte futuro | FT-NTD14N03RT4G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NTD14N03RT4G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.5A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 95 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.8nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 115pF @ 20V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.04W (Ta), 20.8W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTD14N03RT4G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NTD14N03RT4G-FT |
NVS4409NT1G
ON Semiconductor
NVS4001NT1G
ON Semiconductor
NTS4173PT1G
ON Semiconductor
2N7002WST1G
ON Semiconductor
2N7002WT3G
ON Semiconductor
3LN01M-TL-E
ON Semiconductor
3LN01M-TL-H
ON Semiconductor
3LP01M-TL-E
ON Semiconductor
3LP01M-TL-H
ON Semiconductor
5HN01M-TL-E
ON Semiconductor
LCMXO2-640HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S400A-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX72A-1FG484M
Microsemi Corporation
A3P250-1FG256
Microsemi Corporation
ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE530H35C4N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C7
Intel