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ON Semiconductor NTBS2D7N06M7

Numero parte MFG
NTBS2D7N06M7
quantità disponibile
52780 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 1.930504
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fabbricante
ON Semiconductor
Breve descrizione
- NMOS D2PAK 60V 2.7 MOHM
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore NTBS2D7N06M7
Numero di parte futuro FT-NTBS2D7N06M7
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
NTBS2D7N06M7 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 110A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.7 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6655pF @ 30V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 176W (Tj)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore D²PAK (TO-263)
Pacchetto / caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NTBS2D7N06M7 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio NTBS2D7N06M7-FT

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