casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / NTBS2D7N06M7
codice articolo del costruttore | NTBS2D7N06M7 |
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Numero di parte futuro | FT-NTBS2D7N06M7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NTBS2D7N06M7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 110A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7 mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6655pF @ 30V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 176W (Tj) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D²PAK (TO-263) |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTBS2D7N06M7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NTBS2D7N06M7-FT |
IRF4104SPBF
Infineon Technologies
IRF2204SPBF
Infineon Technologies
IRF1010NSTRLPBF
Infineon Technologies
IRF520NSTRLPBF
Infineon Technologies
IRF6215STRLPBF
Infineon Technologies
IRF9540NSTRLPBF
Infineon Technologies
IRF9640STRRPBF
Vishay Siliconix
IRFS3006TRLPBF
Infineon Technologies
IRFS3806TRLPBF
Infineon Technologies
IRFS4229TRLPBF
Infineon Technologies
A3P030-2QNG68I
Microsemi Corporation
A1425A-1PQ100I
Microsemi Corporation
XC4052XL-09HQ304C
Xilinx Inc.
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
EP3CLS100F484C7
Intel
EP2AGX125DF25C4N
Intel
EP2AGX65DF25C5
Intel
5CEBA5U19C8N
Intel
EP1C20F324I7N
Intel