casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / NTB85N03
codice articolo del costruttore | NTB85N03 |
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Numero di parte futuro | FT-NTB85N03 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NTB85N03 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 28V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 85A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.8 mOhm @ 40A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2150pF @ 24V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 80W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTB85N03 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NTB85N03-FT |
IRL5602SPBF
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IRL5602STRL
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