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Infineon Technologies IRL8113S

Numero parte MFG
IRL8113S
quantità disponibile
12090 pezzi
Prezzo di riferimento
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
HEXFET® MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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IRL8113S specificazioni

codice articolo del costruttore IRL8113S
Numero di parte futuro FT-IRL8113S
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie HEXFET®
IRL8113S Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 105A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6 mOhm @ 21A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.25V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 4.5V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2840pF @ 15V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 110W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore D2PAK
Pacchetto / caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRL8113S Peso Contattaci
Numero parte di ricambio IRL8113S-FT

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