casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / NSVRB751S40T1G
codice articolo del costruttore | NSVRB751S40T1G |
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Numero di parte futuro | FT-NSVRB751S40T1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
NSVRB751S40T1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 40V |
Corrente: media rettificata (Io) | 30mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 370mV @ 1mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500nA @ 30V |
Capacità @ Vr, F | 2.5pF @ 1V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-79, SOD-523 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-523 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSVRB751S40T1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NSVRB751S40T1G-FT |
SMMBD914LT3G
ON Semiconductor
BAS19LT3G
ON Semiconductor
SB05-03C-TB-E
ON Semiconductor
BAS16LT1G
ON Semiconductor
MMBD914LT1G
ON Semiconductor
BAT54LT1G
ON Semiconductor
BAS21LT1G
ON Semiconductor
SB07-03C-TB-H
ON Semiconductor
NSVBAS116LT3G
ON Semiconductor
NSVBAS70LT1G
ON Semiconductor
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel