casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BAT54LT1G
codice articolo del costruttore | BAT54LT1G |
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Numero di parte futuro | FT-BAT54LT1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAT54LT1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente: media rettificata (Io) | 200mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 800mV @ 100mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 5ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2µA @ 25V |
Capacità @ Vr, F | 10pF @ 1V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 (TO-236) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 125°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAT54LT1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAT54LT1G-FT |
DB2J20800L
Panasonic Electronic Components
DB2J31600L
Panasonic Electronic Components
DB2J20900L
Panasonic Electronic Components
DB2J50100L
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DB2J20100L
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DA2J10700L
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DA2J10800L
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DB2J30900L
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DA2JF2300L
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DB2J20600L
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EP20K30ETC144-2
Intel
XC2V6000-6FFG1517C
Xilinx Inc.
XC4020XL-2PQ208C
Xilinx Inc.
M1A3P400-FG484
Microsemi Corporation
A3P250-FGG256T
Microsemi Corporation
A3PE600-1PQG208I
Microsemi Corporation
5SGXMB5R3F40I4N
Intel
5SGXMBBR3H43C2LN
Intel
LCMXO3LF-2100E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N2F40I1SG
Intel