casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / NSVMMBT6517LT1G
codice articolo del costruttore | NSVMMBT6517LT1G |
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Numero di parte futuro | FT-NSVMMBT6517LT1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NSVMMBT6517LT1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 350V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 5mA, 50mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 50nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 50mA, 10V |
Potenza - Max | 225mW |
Frequenza - Transizione | 200MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 (TO-236) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSVMMBT6517LT1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NSVMMBT6517LT1G-FT |
2SA1179N6-CPA-TB-E
ON Semiconductor
2SA1179N6-TB-E
ON Semiconductor
2SC2812N6-CPA-TB-E
ON Semiconductor
2SC2812N6-TB-E
ON Semiconductor
BC807-16LT3
ON Semiconductor
BC808-25LT1
ON Semiconductor
BC808-40LT1
ON Semiconductor
BC808-40LT1G
ON Semiconductor
BC817-16LT1
ON Semiconductor
BC817-16LT3
ON Semiconductor
EP1C3T144A8N
Intel
LCMXO2280E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P1000-2FG484I
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX048H2F34E2LG
Intel
XC5VLX220-1FF1760C
Xilinx Inc.
XC4VLX160-11FF1148I
Xilinx Inc.
AX500-2FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HC-6MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7U19C6N
Intel