casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / NJVMJD127T4G
codice articolo del costruttore | NJVMJD127T4G |
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Numero di parte futuro | FT-NJVMJD127T4G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NJVMJD127T4G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP - Darlington |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 8A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 4V @ 80mA, 8A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 4A, 4V |
Potenza - Max | 20W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NJVMJD127T4G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NJVMJD127T4G-FT |
2SC4617
ON Semiconductor
2SC4617G
ON Semiconductor
2SC4617T1
ON Semiconductor
2SC4617T1G
ON Semiconductor
BC847BTT1
ON Semiconductor
BC847CTT1
ON Semiconductor
BC847CTT1G
ON Semiconductor
BC857BTT1
ON Semiconductor
MMBT3904TT1
ON Semiconductor
2SA1708S-AN
ON Semiconductor
M2GL050-FGG484I
Microsemi Corporation
ICE65L08F-TCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C40F484C8N
Intel
EP2C50U484C7
Intel
10M02SCU169C8G
Intel
EP3SE80F1152I3N
Intel
XA7A15T-1CPG236Q
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000HC-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50RC240-4
Intel
EPF10K50VQC240-1
Intel