casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - RF / NSVF6003SB6T1G
codice articolo del costruttore | NSVF6003SB6T1G |
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Numero di parte futuro | FT-NSVF6003SB6T1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
NSVF6003SB6T1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Frequenza - Transizione | 7GHz |
Figura del rumore (dB Typ @ f) | 3dB @ 1GHz |
Guadagno | 9dB |
Potenza - Max | 800mW |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 50mA, 5V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 150mA |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-CPH |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSVF6003SB6T1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NSVF6003SB6T1G-FT |
2SC5065-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
MT3S16U(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC4215-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC5065-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC5085-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC5085-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC5095-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC5095-R(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC4215-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
HN3C10FUTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
M2GL025TS-1VFG256
Microsemi Corporation
5SGSMD8N1F45C2N
Intel
EP4S40G5H40I2
Intel
5SGXEA4H2F35C2LN
Intel
XC5VLX155T-2FFG1136I
Xilinx Inc.
ICE40UL640-CM36AI
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-35E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB1H4F35I3G
Intel
5SGXEA3H2F35C2L
Intel