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Toshiba Semiconductor and Storage HN3C10FUTE85LF

Name: HN3C10FUTE85LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: HN3C10FUTE85LF
Availability: InStock
Rating: 4.6 (128 reviews)

Numero parte MFG: HN3C10FUTE85LF

quantità disponibile: 18040 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione: - RF TRANS 2 NPN 12V 7GHZ US6

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - Bipolar (BJT) - RF

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: HN3C10FUTE85LF.pdf

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HN3C10FUTE85LF specificazioni

codice articolo del costruttore	HN3C10FUTE85LF
Numero di parte futuro	FT-HN3C10FUTE85LF
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
HN3C10FUTE85LF Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Transistor Type	2 NPN (Dual)
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	12V
Frequenza - Transizione	7GHz
Figura del rumore (dB Typ @ f)	1.1dB @ 1GHz
Guadagno	11.5dB
Potenza - Max	200mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	80 @ 20mA, 10V
Corrente - Collector (Ic) (Max)	80mA
temperatura di esercizio	-
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore	US6
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
HN3C10FUTE85LF Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	HN3C10FUTE85LF-FT

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