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Toshiba Semiconductor and Storage HN3C10FUTE85LF
- Numero parte MFG
- HN3C10FUTE85LF
- quantità disponibile
- 18040 pezzi
- Prezzo di riferimento
- USD 0
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- Data di spedizione
- Oggi possiamo spedire
- fabbricante
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Breve descrizione
- - RF TRANS 2 NPN 12V 7GHZ US6
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Conformità RoHS (senza piombo)
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
- 1 (illimitato)
- Codice data (D / C)
- Nuovo
- categoria di prodotto
- Transistor - Bipolar (BJT) - RF
- Risorsa stock
- Distributore in franchising
- Garanzia
- 360 giorni di garanzia di qualità
- scheda dati
- HN3C10FUTE85LF.pdf
HN3C10FUTE85LF specificazioni
| codice articolo del costruttore | HN3C10FUTE85LF |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-HN3C10FUTE85LF |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| HN3C10FUTE85LF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Active |
| Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
| Frequenza - Transizione | 7GHz |
| Figura del rumore (dB Typ @ f) | 1.1dB @ 1GHz |
| Guadagno | 11.5dB |
| Potenza - Max | 200mW |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 20mA, 10V |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 80mA |
| temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | US6 |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| HN3C10FUTE85LF Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | HN3C10FUTE85LF-FT |
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