casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / NSVDTC143ZET1G
codice articolo del costruttore | NSVDTC143ZET1G |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-NSVDTC143ZET1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NSVDTC143ZET1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 200mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-75, SOT-416 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-75, SOT-416 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSVDTC143ZET1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NSVDTC143ZET1G-FT |
DTA114TXV3T1G
ON Semiconductor
MUN5113T1G
ON Semiconductor
MUN5230T1G
ON Semiconductor
NSVMUN5132T1G
ON Semiconductor
SMUN5112T1G
ON Semiconductor
MUN5231T1G
ON Semiconductor
MUN5132T1G
ON Semiconductor
MUN5216T1G
ON Semiconductor
MUN5112T1G
ON Semiconductor
SMUN5211T1G
ON Semiconductor
XC3S50-5VQ100C
Xilinx Inc.
EP3C25F256C8
Intel
XC5VLX50T-2FFG665C
Xilinx Inc.
XC7K325T-1FF900C
Xilinx Inc.
M1AGL600V2-FG144
Microsemi Corporation
M1AGL600V5-FGG144
Microsemi Corporation
LFE2-20E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5M100C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R4F40I3SG
Intel
EP3C40F324C7
Intel