casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / NSVDTA114EM3T5G
codice articolo del costruttore | NSVDTA114EM3T5G |
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Numero di parte futuro | FT-NSVDTA114EM3T5G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NSVDTA114EM3T5G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 260mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-723 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-723 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSVDTA114EM3T5G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NSVDTA114EM3T5G-FT |
MUN5135T1G
ON Semiconductor
MUN5138T1G
ON Semiconductor
MUN5140T1G
ON Semiconductor
MUN5141T1G
ON Semiconductor
MUN5215T1G
ON Semiconductor
MUN5237T1G
ON Semiconductor
MUN5238T1G
ON Semiconductor
MUN5240T1G
ON Semiconductor
MUN5241T1G
ON Semiconductor
SMUN5111T1G
ON Semiconductor
XC3S50AN-4TQG144C
Xilinx Inc.
EX128-FTQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX25-3FTG256C
Xilinx Inc.
M1A3P250-VQG100
Microsemi Corporation
EP2AGZ350FH29C4N
Intel
EP3SL340F1760I4L
Intel
5SGSMD5H2F35I3N
Intel
XC4VLX160-10FFG1148I
Xilinx Inc.
EPF10K30AQI208-3
Intel
EPF8820AQC208-3
Intel