casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / NSV60600MZ4T3G
codice articolo del costruttore | NSV60600MZ4T3G |
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Numero di parte futuro | FT-NSV60600MZ4T3G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NSV60600MZ4T3G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 6A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 350mV @ 600mA, 6A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1A, 2V |
Potenza - Max | 800mW |
Frequenza - Transizione | 100MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-261-4, TO-261AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-223 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSV60600MZ4T3G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NSV60600MZ4T3G-FT |
2SB817C-1E
ON Semiconductor
2SC3332R
ON Semiconductor
2SD1835T-AA
ON Semiconductor
2SA2029M3T5G
ON Semiconductor
NSVMMBT2222AM3T5G
ON Semiconductor
NSV2029M3T5G
ON Semiconductor
NSV2SC5658M3T5G
ON Semiconductor
NSVMMBT5551M3T5G
ON Semiconductor
NSVBC856BM3T5G
ON Semiconductor
NSV2SA2029M3T5G
ON Semiconductor
LCMXO1200C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-2FTG256I
Xilinx Inc.
A42MX16-3PQG208
Microsemi Corporation
LIF-MD6000-6MG81I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-25F-6BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
10M25DCF256C8G
Intel
10AX022E3F27E2LG
Intel
EP4SE530F43C2
Intel
LFE2M70SE-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R3F40I2SGES
Intel