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ON Semiconductor NSV60101DMR6T1G
- Numero parte MFG
- NSV60101DMR6T1G
- quantità disponibile
- 18010 pezzi
- Prezzo di riferimento
- USD 0.11088
- Il nostro prezzo
- Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci
- Data di spedizione
- Oggi possiamo spedire
- fabbricante
- ON Semiconductor
- Breve descrizione
- Automotive, AEC-Q101 60V 1A DUAL NPN LOW VCE
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Conformità RoHS (senza piombo)
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
- 1 (illimitato)
- Codice data (D / C)
- Nuovo
- categoria di prodotto
- Transistor - Bipolar (BJT) - Array
- Risorsa stock
- Distributore in franchising
- Garanzia
- 360 giorni di garanzia di qualità
- scheda dati
- NSV60101DMR6T1G.pdf
NSV60101DMR6T1G specificazioni
| codice articolo del costruttore | NSV60101DMR6T1G |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-NSV60101DMR6T1G |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | Automotive, AEC-Q101 |
| NSV60101DMR6T1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Active |
| Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 100mA, 1A |
| Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 250 @ 100mA, 5V |
| Potenza - Max | 530mW |
| Frequenza - Transizione | 200MHz |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SC-74 |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| NSV60101DMR6T1G Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | NSV60101DMR6T1G-FT |
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