casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / NSV60100DMTWTBG
codice articolo del costruttore | NSV60100DMTWTBG |
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Numero di parte futuro | FT-NSV60100DMTWTBG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NSV60100DMTWTBG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 100mA, 2A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 500mA, 2V |
Potenza - Max | 2.27W |
Frequenza - Transizione | 155MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-WDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-WDFN (2x2) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSV60100DMTWTBG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NSV60100DMTWTBG-FT |
BC847BPDXV6T1
ON Semiconductor
BC847BPDXV6T5G
ON Semiconductor
BC847CDXV6T5
ON Semiconductor
BC847CDXV6T5G
ON Semiconductor
BC848CDXV6T1G
ON Semiconductor
BC848CDXV6T5
ON Semiconductor
BC848CDXV6T5G
ON Semiconductor
BC858CDXV6T5
ON Semiconductor
BC858CDXV6T5G
ON Semiconductor
EMT1DXV6T1
ON Semiconductor
M1A3P600-FG256I
Microsemi Corporation
A3P125-2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C20F484C7N
Intel
10CL016ZE144I8G
Intel
5SGSED8N3F45I4N
Intel
XC4013XL-3BG256C
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C40F324C7
Intel
EP4SGX230HF35I4
Intel
5SGSMD3H2F35I3LN
Intel