casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / NSV60100DMTWTBG
codice articolo del costruttore | NSV60100DMTWTBG |
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Numero di parte futuro | FT-NSV60100DMTWTBG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NSV60100DMTWTBG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 100mA, 2A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 500mA, 2V |
Potenza - Max | 2.27W |
Frequenza - Transizione | 155MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-WDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-WDFN (2x2) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSV60100DMTWTBG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NSV60100DMTWTBG-FT |
BC847BPDXV6T1
ON Semiconductor
BC847BPDXV6T5G
ON Semiconductor
BC847CDXV6T5
ON Semiconductor
BC847CDXV6T5G
ON Semiconductor
BC848CDXV6T1G
ON Semiconductor
BC848CDXV6T5
ON Semiconductor
BC848CDXV6T5G
ON Semiconductor
BC858CDXV6T5
ON Semiconductor
BC858CDXV6T5G
ON Semiconductor
EMT1DXV6T1
ON Semiconductor
XCV50-5FG256I
Xilinx Inc.
XC6SLX45-2FGG484I
Xilinx Inc.
AGLN060V5-CSG81
Microsemi Corporation
5SGXEB6R2F40C1N
Intel
5SGSMD3E2H29C1N
Intel
10AX048K4F35I3SG
Intel
5SGXEA7N3F45I4N
Intel
XC2V2000-5FF896I
Xilinx Inc.
A54SX32A-BGG329M
Microsemi Corporation
A42MX16-FPL84
Microsemi Corporation