casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / NSV60100DMTWTBG
codice articolo del costruttore | NSV60100DMTWTBG |
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Numero di parte futuro | FT-NSV60100DMTWTBG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NSV60100DMTWTBG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 100mA, 2A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 500mA, 2V |
Potenza - Max | 2.27W |
Frequenza - Transizione | 155MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-WDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-WDFN (2x2) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSV60100DMTWTBG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NSV60100DMTWTBG-FT |
BC847BPDXV6T1
ON Semiconductor
BC847BPDXV6T5G
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BC847CDXV6T5
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BC847CDXV6T5G
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BC848CDXV6T1G
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BC848CDXV6T5G
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BC858CDXV6T5
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BC858CDXV6T5G
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EMT1DXV6T1
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