casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / NSV60100DMTWTBG
codice articolo del costruttore | NSV60100DMTWTBG |
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Numero di parte futuro | FT-NSV60100DMTWTBG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NSV60100DMTWTBG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 100mA, 2A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 500mA, 2V |
Potenza - Max | 2.27W |
Frequenza - Transizione | 155MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-WDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-WDFN (2x2) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSV60100DMTWTBG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NSV60100DMTWTBG-FT |
BC847BPDXV6T1
ON Semiconductor
BC847BPDXV6T5G
ON Semiconductor
BC847CDXV6T5
ON Semiconductor
BC847CDXV6T5G
ON Semiconductor
BC848CDXV6T1G
ON Semiconductor
BC848CDXV6T5
ON Semiconductor
BC848CDXV6T5G
ON Semiconductor
BC858CDXV6T5
ON Semiconductor
BC858CDXV6T5G
ON Semiconductor
EMT1DXV6T1
ON Semiconductor
XC2S200E-6PQ208I
Xilinx Inc.
XC7A12T-2CSG325C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG484I
Microsemi Corporation
M7AFS600-2FG256
Microsemi Corporation
XC7S25-1CSGA324Q
Xilinx Inc.
LFE2-12SE-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M08DCU324C8G
Intel
EP3C55F780I7
Intel
EP1C6Q240I7N
Intel