casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / BC858CDXV6T5G
codice articolo del costruttore | BC858CDXV6T5G |
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Numero di parte futuro | FT-BC858CDXV6T5G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BC858CDXV6T5G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | 2 PNP (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 15nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 420 @ 2mA, 5V |
Potenza - Max | 500mW |
Frequenza - Transizione | 100MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-563 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BC858CDXV6T5G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BC858CDXV6T5G-FT |
DMA506010R
Panasonic Electronic Components
DMC505010R
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DMC506010R
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DME505010R
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DMA904010R
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DMG904010R
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UP0440100L
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UP0450100L
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XC3030A-7PQ100C
Xilinx Inc.
A3PE600-FGG484
Microsemi Corporation
M2GL025-1VF400
Microsemi Corporation
A40MX02-1PLG68
Microsemi Corporation
EP4CE15F23C6
Intel
EP2C5AF256A7N
Intel
M1A3P400-FGG144I
Microsemi Corporation
M1A3P600L-FGG144
Microsemi Corporation
5CGXBC4C7U19C8N
Intel
EP4CE75F29C9LN
Intel