casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / NSV40301MDR2G
codice articolo del costruttore | NSV40301MDR2G |
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Numero di parte futuro | FT-NSV40301MDR2G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NSV40301MDR2G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 3A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 115mV @ 200mA, 2A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 180 @ 2A, 2V |
Potenza - Max | 653mW |
Frequenza - Transizione | 100MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSV40301MDR2G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NSV40301MDR2G-FT |
NST3906DXV6T1G
ON Semiconductor
BC847BPDXV6T1G
ON Semiconductor
NST3904DXV6T1G
ON Semiconductor
NST30010MXV6T1G
ON Semiconductor
NSVEMT1DXV6T5G
ON Semiconductor
NSVEMX1DXV6T1G
ON Semiconductor
NSVT3904DXV6T1G
ON Semiconductor
BC847BPDXV6T1
ON Semiconductor
BC847BPDXV6T5G
ON Semiconductor
BC847CDXV6T5
ON Semiconductor
APA450-FG256
Microsemi Corporation
A54SX72A-PQ208I
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX02-2PL68I
Microsemi Corporation
EP2S30F672C5
Intel
5SGSMD3E1H29C2N
Intel
5SGXEA7H2F35C2
Intel
XC2VP20-5FF896I
Xilinx Inc.
EP2S90F780C4N
Intel
EP4CE40F29C6
Intel