casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / NSV40300MDR2G
codice articolo del costruttore | NSV40300MDR2G |
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Numero di parte futuro | FT-NSV40300MDR2G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NSV40300MDR2G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 PNP (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 3A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 170mV @ 200mA, 2A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 180 @ 1A, 2V |
Potenza - Max | 653mW |
Frequenza - Transizione | 100MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSV40300MDR2G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NSV40300MDR2G-FT |
NST3904DXV6T1G
ON Semiconductor
NST30010MXV6T1G
ON Semiconductor
NSVEMT1DXV6T5G
ON Semiconductor
NSVEMX1DXV6T1G
ON Semiconductor
NSVT3904DXV6T1G
ON Semiconductor
BC847BPDXV6T1
ON Semiconductor
BC847BPDXV6T5G
ON Semiconductor
BC847CDXV6T5
ON Semiconductor
BC847CDXV6T5G
ON Semiconductor
BC848CDXV6T1G
ON Semiconductor
APA450-FGG256A
Microsemi Corporation
A3PE1500-1PQ208
Microsemi Corporation
M1A3P1000-2PQ208
Microsemi Corporation
A40MX02-PL68I
Microsemi Corporation
5SGXEA4K3F40C3N
Intel
10CL016YM164C6G
Intel
XC4028EX-2HQ208C
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000ZE-2BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA2U19C8N
Intel
EP3CLS70F780C7N
Intel