casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / NSS40302PDR2G
codice articolo del costruttore | NSS40302PDR2G |
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Numero di parte futuro | FT-NSS40302PDR2G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NSS40302PDR2G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN, PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 3A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 115mV @ 200mA, 2A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 180 @ 1A, 2V |
Potenza - Max | 653mW |
Frequenza - Transizione | 100MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSS40302PDR2G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NSS40302PDR2G-FT |
BC858CDXV6T1G
ON Semiconductor
BC847CDXV6T1G
ON Semiconductor
NST3906DXV6T1G
ON Semiconductor
BC847BPDXV6T1G
ON Semiconductor
NST3904DXV6T1G
ON Semiconductor
NST30010MXV6T1G
ON Semiconductor
NSVEMT1DXV6T5G
ON Semiconductor
NSVEMX1DXV6T1G
ON Semiconductor
NSVT3904DXV6T1G
ON Semiconductor
BC847BPDXV6T1
ON Semiconductor
EP1K10TC144-2
Intel
A42MX24-2PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEA9N3F45I3LN
Intel
5SGXMA5H3F35C2N
Intel
XC7VX980T-1FFG1930I
Xilinx Inc.
XC2VP4-5FF672C
Xilinx Inc.
XC4VFX40-10FF1152I
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K100ABC356-2
Intel
EPF10K50EBC356-1X
Intel