casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / NSS40301MDR2G
codice articolo del costruttore | NSS40301MDR2G |
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Numero di parte futuro | FT-NSS40301MDR2G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NSS40301MDR2G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 3A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 115mV @ 200mA, 2A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 180 @ 1A, 2V |
Potenza - Max | 653mW |
Frequenza - Transizione | 100MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSS40301MDR2G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NSS40301MDR2G-FT |
BC847CDXV6T1G
ON Semiconductor
NST3906DXV6T1G
ON Semiconductor
BC847BPDXV6T1G
ON Semiconductor
NST3904DXV6T1G
ON Semiconductor
NST30010MXV6T1G
ON Semiconductor
NSVEMT1DXV6T5G
ON Semiconductor
NSVEMX1DXV6T1G
ON Semiconductor
NSVT3904DXV6T1G
ON Semiconductor
BC847BPDXV6T1
ON Semiconductor
BC847BPDXV6T5G
ON Semiconductor
XC6SLX25-3FGG484C
Xilinx Inc.
LFE2-12E-6Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF8452ATC100-3
Intel
EP3C55F484C6
Intel
5SGSMD5K1F40C1
Intel
EP3SE110F1152I3
Intel
XC5VLX155-1FFG1760C
Xilinx Inc.
LCMXO256C-3MN100I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGTFD5C5U19A7N
Intel
10AX115S2F45E2SG
Intel