casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / NSS35200CF8T1G
codice articolo del costruttore | NSS35200CF8T1G |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-NSS35200CF8T1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NSS35200CF8T1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 2A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 35V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 20mA, 2A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1.5A, 2V |
Potenza - Max | 635mW |
Frequenza - Transizione | 100MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SMD, Flat Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | ChipFET™ |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSS35200CF8T1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NSS35200CF8T1G-FT |
NJVMJD340T4G-VF01
ON Semiconductor
NJVMJD41CT4G-VF01
ON Semiconductor
NJVMJD44H11D3T4G
ON Semiconductor
NJVMJD45H11D3T4G
ON Semiconductor
NJVNJD2873T4G-VF01
ON Semiconductor
MJD44H11G
ON Semiconductor
NJVMJD112G
ON Semiconductor
NJVMJD31CG
ON Semiconductor
MJD127G
ON Semiconductor
MJD112G
ON Semiconductor
A3P030-QNG68
Microsemi Corporation
XC2VP20-7FGG676C
Xilinx Inc.
LFE2-12SE-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20SE-5Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA7N3F40C3
Intel
5SGXEA5H2F35I2LN
Intel
EP3SL200F1152I3
Intel
EP4SE360F35I3N
Intel
XC7VX330T-2FF1761C
Xilinx Inc.
LFXP6E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation