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ON Semiconductor NJVMJD112G

Numero parte MFG
NJVMJD112G
quantità disponibile
39720 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.31416
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Data di spedizione
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fabbricante
ON Semiconductor
Breve descrizione
- TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK-4
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - Bipolar (BJT) - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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NJVMJD112G specificazioni

codice articolo del costruttore NJVMJD112G
Numero di parte futuro FT-NJVMJD112G
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
NJVMJD112G Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Transistor Type NPN - Darlington
Corrente - Collector (Ic) (Max) 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 3V @ 40mA, 4A
Corrente - Limite del collettore (max) 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1000 @ 2A, 3V
Potenza - Max 1.75W
Frequenza - Transizione 25MHz
temperatura di esercizio -65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitore DPAK
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NJVMJD112G Peso Contattaci
Numero parte di ricambio NJVMJD112G-FT

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