casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / NSS20601CF8T1G
codice articolo del costruttore | NSS20601CF8T1G |
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Numero di parte futuro | FT-NSS20601CF8T1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NSS20601CF8T1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 6A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 20V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 130mV @ 400mA, 4A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 1A, 2V |
Potenza - Max | 830mW |
Frequenza - Transizione | 140MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SMD, Flat Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | ChipFET™ |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSS20601CF8T1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NSS20601CF8T1G-FT |
MJD31T4G
ON Semiconductor
NJVMJD117T4G
ON Semiconductor
NJVMJD3055T4G
ON Semiconductor
NJVMJD340T4G-VF01
ON Semiconductor
NJVMJD41CT4G-VF01
ON Semiconductor
NJVMJD44H11D3T4G
ON Semiconductor
NJVMJD45H11D3T4G
ON Semiconductor
NJVNJD2873T4G-VF01
ON Semiconductor
MJD44H11G
ON Semiconductor
NJVMJD112G
ON Semiconductor
EP2C5T144I8
Intel
LFE2-6E-6TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16A-FG144
Microsemi Corporation
10CL025ZU256I8G
Intel
5SGXEA5N2F40I2L
Intel
EP4CGX30BF14C6N
Intel
5SGXEA4H3F35I3N
Intel
XC4VLX40-11FF1148C
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-L1FFG1156I
Xilinx Inc.
EPF10K30EQI208-2N
Intel