casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / NSS1C200MZ4T1G
codice articolo del costruttore | NSS1C200MZ4T1G |
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Numero di parte futuro | FT-NSS1C200MZ4T1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NSS1C200MZ4T1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 2A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 220mV @ 200mA, 2A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 500mA, 2V |
Potenza - Max | 800mW |
Frequenza - Transizione | 120MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-261-4, TO-261AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-223 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSS1C200MZ4T1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NSS1C200MZ4T1G-FT |
CPH6122-TL-E
ON Semiconductor
CPH6153-P-TL-E
ON Semiconductor
2SB817C-1E
ON Semiconductor
2SC3332R
ON Semiconductor
2SD1835T-AA
ON Semiconductor
2SA2029M3T5G
ON Semiconductor
NSVMMBT2222AM3T5G
ON Semiconductor
NSV2029M3T5G
ON Semiconductor
NSV2SC5658M3T5G
ON Semiconductor
NSVMMBT5551M3T5G
ON Semiconductor
EPF10K10ATC144-3N
Intel
XC2S150-6FG456C
Xilinx Inc.
LFE2-12SE-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P250-2FGG256I
Microsemi Corporation
M7A3P1000-1FGG256
Microsemi Corporation
ICE65L08F-TCB132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE15E22I7N
Intel
LFE3-95EA-6LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE30F29C6N
Intel
EP20K1000CF33C8N
Intel