casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / NSS12601CF8T1G
codice articolo del costruttore | NSS12601CF8T1G |
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Numero di parte futuro | FT-NSS12601CF8T1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NSS12601CF8T1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 6A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 120mV @ 400mA, 4A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 1A, 2V |
Potenza - Max | 830mW |
Frequenza - Transizione | 140MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SMD, Flat Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | ChipFET™ |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSS12601CF8T1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NSS12601CF8T1G-FT |
NJVMJD117T4G
ON Semiconductor
NJVMJD3055T4G
ON Semiconductor
NJVMJD340T4G-VF01
ON Semiconductor
NJVMJD41CT4G-VF01
ON Semiconductor
NJVMJD44H11D3T4G
ON Semiconductor
NJVMJD45H11D3T4G
ON Semiconductor
NJVNJD2873T4G-VF01
ON Semiconductor
MJD44H11G
ON Semiconductor
NJVMJD112G
ON Semiconductor
NJVMJD31CG
ON Semiconductor
EX64-TQG100A
Microsemi Corporation
AFS250-FG256I
Microsemi Corporation
APA450-PQ208I
Microsemi Corporation
A40MX02-PL68A
Microsemi Corporation
5SGXMA5N2F40I3LN
Intel
EP4CE22E22C9LN
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5SGXMA7H3F35I3LN
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LCMXO2-4000ZE-2FTG256C
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EP2AGX125EF29I5
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EP20K400EBC652-3AA
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