casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / NSS12601CF8T1G
codice articolo del costruttore | NSS12601CF8T1G |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-NSS12601CF8T1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NSS12601CF8T1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 6A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 120mV @ 400mA, 4A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 1A, 2V |
Potenza - Max | 830mW |
Frequenza - Transizione | 140MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SMD, Flat Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | ChipFET™ |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSS12601CF8T1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NSS12601CF8T1G-FT |
NJVMJD117T4G
ON Semiconductor
NJVMJD3055T4G
ON Semiconductor
NJVMJD340T4G-VF01
ON Semiconductor
NJVMJD41CT4G-VF01
ON Semiconductor
NJVMJD44H11D3T4G
ON Semiconductor
NJVMJD45H11D3T4G
ON Semiconductor
NJVNJD2873T4G-VF01
ON Semiconductor
MJD44H11G
ON Semiconductor
NJVMJD112G
ON Semiconductor
NJVMJD31CG
ON Semiconductor
XC6SLX150T-3FGG676I
Xilinx Inc.
XC3S500E-5PQG208C
Xilinx Inc.
AX250-2FGG484
Microsemi Corporation
5CGTFD5C5F27I7N
Intel
10M50SCE144C7G
Intel
5SGXEB6R3F43C4
Intel
EP4S40G5H40I1N
Intel
LFE5U-12F-7BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N4F40E3LG
Intel
EP1S30F780C5
Intel